3.0Amp Tujuan Umum Silicon Rectifier 1N5403 Diode

Umum 3Amp 1N5403 Silicon Rectifier Diode Dengan Terminal Berlapis Solder

 

 

1N5400 ~ 1N5408 DO-27 Lembar Data.pdf

 

 

 

• Paket plastik tersebut membawa Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
• Buka chip Junction
• Kebocoran terbalik rendah
• Kemampuan arus lonjakan maju yang tinggi
• Penyolderan suhu tinggi dijamin

 

 

 

       

       

• Terminal: Berlapis solder, dapat dipateri per MIL-STD-750, Metode 2026 Polaritas: Penandaan simbol polaritas pada tubuh
• Kasus: Tubuh plastik yang dibentuk
• Posisi Pemasangan: Apa pun
• Berat: 0,0345 ons, 0,98 gram

 

 

 

 

 

Peringkat pada suhu lingkungan 25 ° C kecuali dinyatakan sebaliknya. Fase tunggal setengah gelombang 60Hz, beban resistif atau induktif, untuk arus beban kapasitif turun 20%.

 

 

 

Parameter		SIMBOL	1N5400	1N5401	1N5402	1N5403	1N5404	1N5405	1N5406	1N5407	1N5408	UNIT
Tegangan Balik Puncak Berulang Maksimum		VRRM	50	100	200	300	400	500	600	800	1000	Volts
Tegangan RMS Maksimum		VRMS	35	70	140	210	280	350	420	560	700	Volts
Tegangan Pemblokiran DC Maksimum		VDC	50	100	200	300	400	500	600	800	1000	Volts
Arus Penyearah Maju Rata-rata Maksimum pada TL = 100 ° C		JIKA (AV)	3									Amp
Peak Forward Surge Current, 8.3msSingle Half Sine-Wave Ditumpangkan pada beban pengenal		IFSM	150									Amp
Tegangan Maju Sesaat Maksimum pada 3A		VF	1.1									Volts
Arus Balik DC Maksimum pada tegangan pemblokiran DC terukur	TA = 25 ° C	IR	10									ya
	TA = 125 ° C		500

 

 

Produk penjualan panas Huixin termasuk

 

Diode Penyearah Serba Guna

 

Diode Pemulihan Cepat Penyearah

 

Dioda Penyearah Penghalang Schottky

 

VF Schottky Diode rendah

 

TVS Transient Voltage Supresor Diode

 

Diode Switching Berkecepatan Tinggi

 

Silicon Zener Diode

 

Penyearah Jembatan Silikon

 

ESD Suppressor Diode

 

Transistor

 

MOSFET Tegangan Rendah